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　　5月9日，中芯国际联合CEO赵海军在一季报电话会议上表示，由于公司一季度新进设备较多，在设备验证过程中，发现设备性能和工艺表现需要改进，导致产品良率波动。以上影响预计延续到未来四到五个月。

　　对这条消息，多数人看到的是其或将影响短期盈利，但没有看到中芯国际在扩大国产设备的使用，从长期来看，这或许有助于其突破5nm乃至于3nm制程，其实是利好。

　　据悉，新凯来武夷山系列刻蚀机和岳麓山系列光学检测设备已在中芯国际28nm及以上产线完成验证，高深宽比刻蚀良率达85%，订单规模超5亿元，推动国产设备使用率从15%提升至20%。

　　北方华创与中微公司设备也已被中芯国际采用，其中7nm刻蚀机已批量交付并被应用于中芯国际产线%，成本较进口设备降低40%。

　　沈阳拓荆的PECVD设备也已进入中芯国际供应链，可以支撑7nm介质层沉积需求。

　　芯源微、至纯科技的12英寸清洗设备也进入了中芯国际产线，据悉缺陷识别率提升至98%，验证周期缩短至6个月。

　　在光刻胶与抛光液国产替代方面，上海新阳自主研发的ArF浸没式光刻胶已通过中芯国际28nm工艺验证，良品率达98.7%，这一突破显著降低了国内芯片工厂对外部材料的依赖。同时，安集科技的化学机械抛光液（CMP）已进入台积电南京厂供应链，间接推动了国内半导体材料生态的完善，为中芯国际未来扩大国产化装备应用奠定基础。

　　中芯国际临港基地还启动了28nm汽车芯片专用生产线万片晶圆。该产线聚焦车规级芯片需求，结合地平线nm全流程国产化技术，实现了从设计到制造的本地化闭环。这一布局不仅响应了国内新能源汽车市场的增长，还通过规模化生产验证国产设备的稳定性。

　　中芯国际F16产线批量采购了国产磁悬浮设备，能效提升30%，运行成本降低20%。

　　中芯国际在深圳、京城等地的晶圆厂持续扩产，2025年资本开支计划维持75亿美元，重点投向12英寸晶圆产能建设。通过提升12英寸晶圆收入占比至80.6%，公司优化了技术结构并降低单位成本，间接推动国产设备的规模化应用验证。

　　有传闻称，新凯来研发的LDP技术原型设备已进入中芯国际产线%；也有消息称，上海微电子28nm光刻机（SSX600）预计2026年交付，可支撑DUV多重曝光工艺。以上消息虽然都是传闻，但的确关系到中芯国际未来工艺制程的研发。

　　实际上，中芯国际在2023年即在梁孟松的领导下完成了7nm制程工艺的研发，其研发实力不用怀疑。

　　《日经新闻》去年曾报道，日本专业的半导体分析机构TechanaLye社长清水洋治表示，随着中国半导体实力进步，已经达到了仅落后台积电三年的水平。清水洋治以2021年华为旗舰手机处理器Kirin 9000和2024年4月开售的华为最新智能手机华为Pura 70 Pro的处理器“Kirin 9010”为例，两款芯片均由华为旗下海思半导体设计，Kirin 9000是由台积电5nm代工，而Kirin 9010则是由中国国产7nm工艺代工（当然，Kirin 9010到底是谁代工的，仍然是未解之谜）。

　　作为每年拆解约100项电子产品的半导体调查公司，TechanaLye在报告中指出，一般来说，晶体管线宽变细的话，处理器的性能就会变高、芯片面积也可以变小。清水洋治表示，采用国产7nm工艺量产的Kirin 9010芯片面积为118.4平方毫米，与台积电5nm芯片的Kirin 9000面积（107.8平方毫米）差距不大，不过处理性能却几乎相同。

　　5nm方面，3月就有传言称中芯国际与华为联手，采用多重曝光工艺，已完成5nm芯片试产，但目前仍受到低良率和高成本的困扰。这一传言与华为的昇腾910D或920将采用中芯国际的N+3工艺量产吻合，应该有一定可信度。

　　据业内估计，中芯国际的5nm工艺由于只能采用DUV的多重曝光工艺，其良率只有台积电5nm的1/3，成本则比台积电5nm工艺高了50%。wccftech报道称，中芯国际可能会在2025年完成对5nm工艺的研发。由于成本和良率关系，中芯国际的5nm工艺可能只会有华为的麒麟芯片和昇腾芯片会采用，但这对我国的芯片行业来说意义重大，可谓解决了卡脖子问题，贵一点、产量低点不是问题。

　　3nm方面，tomshardware曾报道，中芯国际和华为已为采用DUV多重曝光的3nm工艺申请了专利，可见中芯国际和华为确实已经对此展开了研究，并有了一定成果。当然，何时能够量产，则还是未知数。可能最终还是要看我们的EUV光刻机何时能够突破。

　　2024年9月，工信部公布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，一款分辨率达65纳米的国产DUV光刻机赫然在列，彼时业内就普遍认为其出自新凯来之手。这一成果远超上海微电子90纳米的技术水平。而新浪财经有一篇《新凯来公司深度调研报告》透露：光刻机是半导体产业的“圣杯”，新凯来的28nm浸润式光刻机虽未公开展示，但业内消息称其已完成实验室验证。

　　新凯来2021年才成立，短短4年，就已经搞定65纳米国产DUV光刻机和28nm浸润式光刻机，可见其实力。有传言称其核心管理层和技术骨干多来自ASML、AMAT、科磊（KLA）等国际巨头，以及华为、中芯国际等国内顶尖企业。传闻其首席技术官曾在ASML主导EUV光刻机光学模块开发，技术基因极为硬核。所以新凯来在研究EUV光刻机是不用怀疑的，只不过其进展我们暂时还不知道而已。

　　传闻中，新凯来的EUV光刻机三季度就能进入试验产线年就能量产。我个人认为，即使这一传闻是假的，其实际量产时间也不会超过5年。

　　中芯国际通过国产设备规模化验证、关键技术协同攻关及政策资本联动，正加速构建非美技术生态。尽管光刻机等核心环节仍存短板，但刻蚀、薄膜沉积等领域的突破已为7nm量产奠定基础，并为国产半导体产业链的自主可控打开突破口。

　　所以，大家不要在意中芯国际的短期利润，要看到其扩大使用国产设备，不光对推动国产半导体产业链的成熟有重大意义，也要看到对其自身未来在5nm和3nm制程上的突破是有好处。

　　中国的发展速度不能按照西方的标准。科研进度至少比西方快两倍。也就是你预判五年。其实不用二年就可实现。甚至更快。这就是中国速度！

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　　期待国产更强 只有更多的使用国产 给国产反馈改进 国产才能在封锁之下 度过难关 良性发展

　　这么多年了，还有百分之八十的进口设备，这些都是不可替代的吧[捂脸][捂脸]